Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 225 A, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 228-2893
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH112E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2893
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- SIJH112E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 225 A | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.0028 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 225 A | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.0028 Ω | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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