Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

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RS Best.-Nr.:
239-8677
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ130EL-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

445A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00052Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SQJQ ist ein Kfz-P-Kanal-MOSFET, der bei 30 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

Niedriger Widerstand,

AEC-Q101-qualifiziert,

UIS-geprüft,

dünnes Gehäuse

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