Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 239-8678
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ130EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.368 | CHF.8.75 |
| 20 - 98 | CHF.4.106 | CHF.8.21 |
| 100 - 198 | CHF.3.717 | CHF.7.42 |
| 200 - 498 | CHF.3.497 | CHF.6.99 |
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- RS Best.-Nr.:
- 239-8678
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ130EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 445A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00052Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 445A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00052Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQJQ ist ein Kfz-P-Kanal-MOSFET, der bei 30 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
Niedriger Widerstand,
AEC-Q101-qualifiziert,
UIS-geprüft,
dünnes Gehäuse
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