Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 245 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 252-0316
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ186E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.6.826
Lieferengpass
- Zusätzlich 1’844 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.413 | CHF.6.83 |
| 20 - 98 | CHF.3.213 | CHF.6.43 |
| 100 - 198 | CHF.2.898 | CHF.5.81 |
| 200 - 498 | CHF.2.73 | CHF.5.47 |
| 500 + | CHF.2.562 | CHF.5.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0316
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ186E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 245A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0014mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 1.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 245A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0014mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 1.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg und UIS getestet
Dünne 1,9 mm Höhe
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 245 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ186ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 329 A 214 W, 8-Pin SQJQ186ER-T1_GE3 PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin SQJQ130EL-T1_GE3 PowerPAK
- Vishay SQJQ186ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 329 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 108 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 92.5 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212