Vishay SIS9122 Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 7.1 A 17.8 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-098
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIS9122DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIS9122 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIS9122 | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache N-Kanal-MOSFET von Vishay in Kfz-Klasse wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 100 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK 1212-8 Dual, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie für optimierte elektrische und thermische Leistung.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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