Vishay SIS9122 Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 7.1 A 17.8 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-098
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
25 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 1.00 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF 1.25
Auf Lager
- Zusätzlich 6'000 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 24 | CHF 1.25 | - |
| 25 - 99 | CHF 1.21 | CHF 1.00 |
| 100 - 499 | CHF 1.19 | CHF 6.00 |
| 500 - 999 | CHF 0.99 | CHF 131.00 |
| 1000 + | CHF 0.95 | CHF 303.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-098
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIS9122 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIS9122 | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 800μm | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache N-Kanal-MOSFET von Vishay in Kfz-Klasse wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 100 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK 1212-8 Dual, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie für optimierte elektrische und thermische Leistung.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- Vishay SIS9122 Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 7.1 A 17.8 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS9634LDN Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13.1 A, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 8 A, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 225 A, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 33.8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65.7 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212