Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13.1 A, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 228-2826
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7252ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 100V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach-N-Kanal-Mosfet | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 100V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach-N-Kanal-Mosfet | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.
PWM-optimiert
100 % Rg- und UIS-geprüft
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