Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-495
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG033N60SF-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.7.464
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.46 |
| 10 - 99 | CHF.5.01 |
| 100 - 499 | CHF.4.10 |
| 500 - 999 | CHF.3.47 |
| 1000 + | CHF.3.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-495
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG033N60SF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 101nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 101nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungs-Schaltanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Diese Komponente verfügt über eine schnelle Body-Diode-Technologie, wodurch sie für anspruchsvolle Spannungs- und Strombedingungen geeignet ist.
Die Technologie der neuesten Generation der SF-Serie erhöht die Langlebigkeit der Leistung
Niedrige Leistungsanzeige sorgt für einen effizienten Betrieb
Avalanche-Energie-zertifiziert, gewährleistet Robustheit unter extremen Bedingungen
Materialkategorisierung hilft bei der Einhaltung von Vorschriften in verschiedenen Anwendungen
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 500 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 352 A 375 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 19 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 189 A 375 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK