Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
851-508
Herst. Teile-Nr.:
SISS176LDN-T1-BE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0125Ω

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.04mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Länge

6.05mm

Breite

5.25mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet eine hohe Effizienz im Energiemanagement und verfügt über eine robuste Konstruktion, die verschiedene elektrische Anforderungen in fortschrittlichen elektronischen Anwendungen unterstützt.

Die TrenchFET Gen IV-Technologie verbessert die Leistung

Sehr niedriger R DS(on) bei verschiedenen Gate-Spannungen sorgt für Effizienz

Umfassende Tests garantieren Zuverlässigkeit im Betrieb

Die bleifreie (Pb) und halogenfreie Zusammensetzung entspricht den Umweltstandards

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