Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 19 A 375 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
851-496
Herst. Teile-Nr.:
SIHH150N60E-T1-FE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Länge

6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsmanagementanwendungen zu gewährleisten und die Leistung in anspruchsvollen Umgebungen zu optimieren.

Nutzt die Technologie der Advanced E-Serie für verbesserte Energieeffizienz

Bietet einen niedrigen Leistungsfaktor und verbessert die Gesamtleistung

Reduziert Leitungs- und Schaltverluste erheblich für eine längere Lebensdauer

Avalanche-zertifiziert, gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen

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