Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 851-501
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.3.323
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.32 |
| 10 - 99 | CHF.2.17 |
| 100 - 499 | CHF.1.53 |
| 500 - 999 | CHF.1.27 |
| 1000 + | CHF.1.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-501
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | 55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 6.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Breite | 5.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. 55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 6.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Breite 5.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeiten gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in unterschiedlichen Spannungs- und Strombereichen.
Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und einen hohen Wirkungsgrad
Oberseitige Kühlung verbessert die Wärmeübertragungseigenschaften
Bleifreie und halogenfreie Konstruktion unterstützt die Einhaltung von Umweltvorschriften
Vollständig auf Zuverlässigkeit geprüft mit 100 % R- und UIS-Tests
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 19 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 500 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 71.4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK
