Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin SiR580DP-T1-RE3 SO-8

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228-2908
Herst. Teile-Nr.:
SiR580DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

146A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 80-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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