Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin SIRA90DP-T1-RE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SIRA90DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

102nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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