Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 500 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-493
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA36EP-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 851-493
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA36EP-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 0V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 0V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie bietet zuverlässige Leistung bei hohen Spannungen. Entwickelt für effizientes Energiemanagement, ist es ideal für anspruchsvolle Automobilanwendungen.
AEC-Q101 qualifiziert für Kfz-Zuverlässigkeit
Die TrenchFET Gen IV-Technologie sorgt für verbesserte Effizienz
100 % R- und UIS-geprüft zur Qualitätssicherung
Ein-Widerstand optimiert die Schalteigenschaften
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