Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 352 A 375 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- RS Best.-Nr.:
- 847-933
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 847-933
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- SQJQ580ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 352A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8LR) | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00144Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 352A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8LR) | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00144Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
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