Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- RS Best.-Nr.:
- 252-0312
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.8.106
Nur noch Restbestände
- Letzte 694 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.053 | CHF.8.10 |
| 20 - 48 | CHF.3.812 | CHF.7.62 |
| 50 - 98 | CHF.3.444 | CHF.6.88 |
| 100 - 198 | CHF.3.234 | CHF.6.48 |
| 200 + | CHF.3.045 | CHF.6.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0312
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 430A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8LR) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0014mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 430A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8LR) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0014mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg und UIS getestet
Dünne 1,9 mm Höhe
Verwandte Links
- Vishay SQJQ184ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin SQJQ184ER-T1_GE3 PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQJQ184ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQJQ186ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 329 A 214 W, 8-Pin SQJQ186ER-T1_GE3 PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQJQ186ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 329 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 118 A 214 W, 4-Pin SQJ184EP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 243 A 214 W, 4-Pin SQJ154EP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin SQS140ELNW-T1_GE3 PowerPAK