Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-507
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 851-507
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0039Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0039Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Es arbeitet effektiv bei 80 V mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C und bietet zuverlässige und robuste Funktionalität in verschiedenen Anwendungen.
Die TrenchFET Gen V-Technologie gewährleistet hervorragende Leistung und Effizienz
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand reduziert den Leistungsverlust während der Leitung
100 % auf R und UIS getestet, was eine hohe Zuverlässigkeit garantiert
Verbesserte thermische Leistung mit verbesserten Verlustleistungseigenschaften
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