Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

CHF.2.707

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9CHF.2.71
10 - 99CHF.1.76
100 - 499CHF.1.20
500 - 999CHF.0.98
1000 +CHF.0.91

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
851-506
Herst. Teile-Nr.:
SIR692DP-T1-UE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0048Ω

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.05mm

Höhe

1.04mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE
Der Hochleistungs-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Schaltfunktionen in Power-Management-Anwendungen entwickelt. Seine robuste Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit und optimale Funktionalität in verschiedenen anspruchsvollen Umgebungen.

N-Kanal-Konfiguration für überlegene Betriebseffizienz

ThunderFET-Technologie verbessert die Leistung durch Optimierung des Gleichgewichts zwischen Einschaltwiderstand und Schalteigenschaften

Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 250 V, wodurch die Eignung für Hochspannungsanwendungen gewährleistet ist

Entwickelt mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 24,2 A, der für umfangreiche Lastbedingungen geeignet ist

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.