Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 250 V / 20 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-504
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR692DP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.2.707
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.71 |
| 10 - 99 | CHF.1.76 |
| 100 - 499 | CHF.1.20 |
| 500 - 999 | CHF.0.98 |
| 1000 + | CHF.0.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-504
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR692DP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.067Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.067Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Hochleistungs-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen elektronischen Systemen entwickelt und gewährleistet Zuverlässigkeit und Präzision in Schaltanwendungen.
Verwendet ThunderFET-Technologie für optimalen RDS(on), Qg, Qsw und Qoss-Balancing
Garantiert 100 % Rg und UIS-geprüft für erhöhte Zuverlässigkeit
Unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 250 V
Minimaler Einschaltwiderstand von 0,063 Ω bei VGS von 10 V sorgt für geringen Leistungsverlust
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 19 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI34 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET P -20 V / -8 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR626LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 186 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SIR680LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8