Vishay SIR680LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 736-348
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR680LDP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 736-348
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR680LDP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SIR680LDP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0028Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SIR680LDP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0028Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffizientes Strommanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Er arbeitet effizient bei 80 V und zeichnet sich durch synchrone Gleichrichtung und Motorantriebsschaltvorgänge aus.
Verfügt über eine TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Energieeffizienz
Zeigt einen sehr niedrigen RDS(on) von 0,0028 Ω bei 10 V an, wodurch minimale Leitungsverluste gewährleistet sind
Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 130 A, wodurch es für anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist
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