Vishay SIR5607DP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90.9 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-195
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.5’166.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.1.722 | CHF.5’169.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-195
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIR5607DP | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.007Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIR5607DP | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.007Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.26 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt eine Ablassquelle-Spannung von bis zu 60 V und ist in einem PowerPAK SO-8-Gehäuse untergebracht. Er wurde mit der TrenchFET Gen V-Technologie gebaut und bietet sehr niedrige RDS(on), was Spannungsabfall und Leitungsverluste minimiert.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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