Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90.9 A 104 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9951
Herst. Teile-Nr.:
SIR5607DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.007Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

112nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Geringerer Spannungsabfall

Geringerer Leitungsverlust

Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)

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