Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 47.6 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9943
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
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