Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42.6 A 56.8 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.2’394.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.798CHF.2’397.15

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9945
Herst. Teile-Nr.:
SIR5112DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0149Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links