Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26.8 A 56.8 W, 8-Pin SIR5710DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
268-8334
Herst. Teile-Nr.:
SIR5710DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0315Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.

Sehr geringe Verdienstzahl

ROHS-konform

UIS 100 Prozent getestet

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