Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 105 A 56.8 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9949
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 279-9949
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 105A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0062Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 105A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0062Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
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