Vishay SISS5208DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 20 V / 172 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 653-148
Herst. Teile-Nr.:: SISS5208DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SISS5208DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 20 V / 172 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SISS5208DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	172A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	SISS5208DN
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0013Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	24.6nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	56.8W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	3.40mm
	Breite	3.40mm
	Höhe	0.83mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 172A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie SISS5208DN
	Gehäusegröße PowerPAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0013Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.6nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 56.8W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 3.40mm
	Breite 3.40mm
	Höhe 0.83mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SISS5208DN-T1-GE3

Ursprungsland:: CN

Einfache MOSFETs der Serie SISS5208DN von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 172 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SISS5208DN-T1-GE3

Dieser einzelne MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Stromversorgungsbaugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die ein schnelles Schalten und eine erhebliche kontinuierliche Ablassfähigkeit erfordern und gleichzeitig ein effizientes thermisches Verhalten erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der kontinuierliche Ablassstrom 172 A ermöglicht eine hohe Belastbarkeit • 20 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen • 0,0013 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste • 24,6 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • 56,8 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastung unter Last • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz in erhöhten Umgebungen

Anwendungen

• Geeignet für Motorantriebsstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen • Wird für Lastschaltvorgänge in industriellen Schalttafeln verwendet • Kann für H-Brücken-Ausgangsstufen in der Robotik verwendet werden • Wird mit Hochleistungs-MOSFET-Arrays in Wechselrichtermodulen verwendet

Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich bei der Entwicklung von Gate-Treibern planen?

Das Gerät akzeptiert Gate-Source-Spannungen von bis zu 8 V, sodass ein Gate-Treiber, der Vgs innerhalb dieser Grenze liefert, einen sicheren Betrieb gewährleistet.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Leiterplatten-Layout und die thermischen Pfade aus?

Das PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage konzentriert thermische und elektrische Verbindungen auf einer kleinen Grundfläche, sodass Kupferguss und thermische Leitungen empfohlen werden, um den Leistungsverlust von 56,8 W des Geräts abzuleiten.

Welche Umgebungsbedingungen sind für einen zuverlässigen Betrieb zulässig?

Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in rauen industriellen Temperaturbereichen ermöglicht.

Wie sollten Einschalt- oder Einschaltströme in der Konstruktion berücksichtigt werden?

Mit einem niedrigen Rds(on) von 0,0013 Ω und einer hohen Dauerstromkapazität sollten Überspannungsbelastungen gegen Überspannungsfähigkeiten und Leiterplatten-Trace-Stromwerte bewertet werden, um Überbelastungen zu vermeiden.