Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-083
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.8'697.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.2.899 | CHF.8'702.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-083
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.42mm | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.42mm | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 32 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHR120N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Oberflächenmontage der Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste thermische Toleranz und eine dauerhafte Leistungsaufnahme in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 32 A Dauerstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,12 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Nennbedingungen • Die Verlustleistung von 278 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz • 29 nC typische Gate-Ladegeschwindigkeiten Schaltübergänge • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C hält erhöhten thermischen Belastungen stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen • Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten • Wird für AC/DC-Wandler verwendet, die eine hohe Verlustkapazität erfordern • Kann für elektronische Vorschaltgeräte- und Beleuchtungssteuerschaltkreise verwendet werden • Geeignet für die Leistungsschaltung in Automatisierungs- und Schalttafeln
Welche Montageart ist für die Platinenmontage erforderlich?
Er wird in einem bleifreien PowerPAK-Oberflächenmontagegehäuse mit acht Stiften geliefert, das für die gelötete Befestigung an Leiterplatten-Erdungen und Wärmeleitungen zur Wärmeabfuhr vorgesehen ist.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?
Die Gate-Source-Toleranz beträgt ±30 V, und die typische Gate-Ladung von 29 nC erfordert einen Treiber, der ausreichend Strom für die beabsichtigte Schaltfrequenz liefern und ableiten kann.
Wie wirkt sich sein Temperaturbereich auf den Einsatz aus?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in breiten Umgebungs- und erhöhten Szenarien, sofern ein Wärmemanagement implementiert ist.
Welche elektrischen Grenzwerte schützen vor Überspannung oder übermäßiger Verlustleistung?
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 600 V und die Nennverlustleistung beträgt 278 W
Ausführungen sollten geeignete Klemm- und thermische Wege umfassen, um eine Überschreitung zu verhindern.
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 31 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS5700DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 144 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 202 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8