Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin SIHR120N60E-T1-GE3 PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.11’499.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.3.833CHF.11’506.95

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-083
Herst. Teile-Nr.:
SIHR120N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

E

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen optimiert. Er bietet einen niedrigen Verdienstwert (FOM), reduzierte Schalt- und Leitungsverluste und eine niedrige effektive Kapazität. Gepackt in dem kompakten PowerPAK 8x8LR ist es ideal für den Einsatz in Servern, Telekommunikation, Beleuchtung und industriellen Netzteilen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links