Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-178
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.7.109
Auf Lager
- 2’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.11 |
| 10 - 49 | CHF.6.91 |
| 50 - 99 | CHF.6.68 |
| 100 + | CHF.5.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-178
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIHM080N60E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 7.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIHM080N60E | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8mm | ||
Breite 7.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay Power MOSFET ist ein MOSFET der 4. Generation der Serie E, der für hocheffiziente Schaltungen in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung. Verpackt in PowerPAK 8x8L, ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin
- Vishay SIHR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR
- Vishay SIHR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin SIHR080N60E-T1-GE3 8x8LR
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin SIHK105N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay SIR4411DP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / -48.3 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 202 W, 4-Pin SIHH26N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK