Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-096
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.4.596
Auf Lager
- 5'978 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 4.60 |
| 10 - 24 | CHF 4.44 |
| 25 - 99 | CHF 4.36 |
| 100 - 499 | CHF 3.71 |
| 500 + | CHF 3.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-096
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SIRS4300DP | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00040Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SIRS4300DP | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00040Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Einfache MOSFETs der Serie SIRS4300DP von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 680 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4300DP-T1-RE3
Dieses einzelne MOSFET-Gerät ist ein N-Kanal-Verbesserungshalbleiter, der für Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Er wird in einem 8-poligen PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und eignet sich für anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen, in denen eine kompakte, verlustarme Schaltung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Niederspannungs-Leistungsstufenkonstruktionen • 680 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt das Schalten hoher Lasten • 0,00040 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für mehr Effizienz • 84 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge • Die Verlustleistung von 278 W sorgt für einen hohen Energiedurchsatz • Funktioniert bis zu 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Ideal für Leistungsstufen in Motorsteuerungen • Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsmodulen verwendet • Kann für Lastschaltvorgänge in der industriellen Stromverteilung verwendet werden • Wird mit parallelen Arrays für Powerracks in Rechenzentren verwendet
Welche Gate-Drive-Marge ist für eine zuverlässige Schaltung akzeptabel?
Das Gerät toleriert Gate-Spannungen bis zu 20 V
Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie innerhalb dieser Grenze arbeiten und die typische Ladung von 84 nC für die vorgesehenen Schaltgeschwindigkeiten erreichen.
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Aufgrund der Verlustleistung von 278 W verwenden Sie große Kupferflächen, Wärmeleitungen und eine direkte Wärmeableitung zum freiliegenden PowerPAK-Pad, um die Anschlusstemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.
Kann es parallel geschaltet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen?
Eine Parallelschaltung ist möglich, sofern passende Rds(on) und geeignete Stromverteilungsmaßnahmen implementiert werden, sowie eine sorgfältige Gate-Drive-Timing, um Ungleichgewichte zu vermeiden.
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C für Sperrschicht- oder Gehäusebedingungen wie im thermischen Systemdesign definiert spezifiziert.
Welche Packungsaspekte beeinflussen die Dichte des Layouts?
Das 8-polige PowerPAK-Oberflächenmontageformat ermöglicht eine kompakte Platzierung, erfordert aber Aufmerksamkeit für Kupfer-Kühlkörper und Spurbreite für Hochstrompfade.
Verwandte Links
- Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SIRS5700DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 144 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS5702DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 119 A 245 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5812DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 45.3 A 50 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 80.3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 421 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC