Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-096
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4300DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SIRS4300DP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00040Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.10 mm

Länge

6.10mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8S, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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