Vishay SIRS4300DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-096
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4300DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRS4300DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00040Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.10mm

Höhe

0.95mm

Breite

5.10mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Einfache MOSFETs der Serie SIRS4300DP von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 680 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4300DP-T1-RE3


Dieses einzelne MOSFET-Gerät ist ein N-Kanal-Verbesserungshalbleiter, der für Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Er wird in einem 8-poligen PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und eignet sich für anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen, in denen eine kompakte, verlustarme Schaltung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Niederspannungs-Leistungsstufenkonstruktionen • 680 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt das Schalten hoher Lasten • 0,00040 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für mehr Effizienz • 84 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge • Die Verlustleistung von 278 W sorgt für einen hohen Energiedurchsatz • Funktioniert bis zu 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Ideal für Leistungsstufen in Motorsteuerungen • Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsmodulen verwendet • Kann für Lastschaltvorgänge in der industriellen Stromverteilung verwendet werden • Wird mit parallelen Arrays für Powerracks in Rechenzentren verwendet

Welche Gate-Drive-Marge ist für eine zuverlässige Schaltung akzeptabel?


Das Gerät toleriert Gate-Spannungen bis zu 20 V

Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie innerhalb dieser Grenze arbeiten und die typische Ladung von 84 nC für die vorgesehenen Schaltgeschwindigkeiten erreichen.

Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?


Aufgrund der Verlustleistung von 278 W verwenden Sie große Kupferflächen, Wärmeleitungen und eine direkte Wärmeableitung zum freiliegenden PowerPAK-Pad, um die Anschlusstemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.

Kann es parallel geschaltet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen?


Eine Parallelschaltung ist möglich, sofern passende Rds(on) und geeignete Stromverteilungsmaßnahmen implementiert werden, sowie eine sorgfältige Gate-Drive-Timing, um Ungleichgewichte zu vermeiden.

Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?


Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C für Sperrschicht- oder Gehäusebedingungen wie im thermischen Systemdesign definiert spezifiziert.

Welche Packungsaspekte beeinflussen die Dichte des Layouts?


Das 8-polige PowerPAK-Oberflächenmontageformat ermöglicht eine kompakte Platzierung, erfordert aber Aufmerksamkeit für Kupfer-Kühlkörper und Spurbreite für Hochstrompfade.

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