Vishay SiSS5623DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 36.3 A 56.8 W, 8-Pin 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 280-0001
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 4 - 56 | CHF.2.353 | CHF.9.41 |
| 60 - 96 | CHF.2.262 | CHF.9.03 |
| 100 - 236 | CHF.2.00 | CHF.7.99 |
| 240 - 996 | CHF.1.959 | CHF.7.84 |
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- RS Best.-Nr.:
- 280-0001
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | 1212-8S | |
| Serie | SiSS5623DN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.046Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße 1212-8S | ||
Serie SiSS5623DN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.046Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
Leistungs-MOSFET der neuen Generation
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
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