Vishay SiSS5623DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 36.3 A 56.8 W, 8-Pin SISS5623DN-T1-GE3 1212-8S

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Herst. Teile-Nr.:
SISS5623DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

1212-8S

Serie

SiSS5623DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.046Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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