Vishay SiSS5623DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 36.3 A 56.8 W, 8-Pin SISS5623DN-T1-GE3 1212-8S

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.2’331.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.777CHF.2’337.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
280-0000
Herst. Teile-Nr.:
SISS5623DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SiSS5623DN

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.046Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

Verwandte Links