Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -136.7 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
735-204
Herst. Teile-Nr.:
SISS5207DN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-136.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

139nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

830μm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.4mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der P-Kanal-MOSFET mit 20 V von Vishay wurde für effizientes Lastschalten in kompakten elektronischen Designs entwickelt. Er kombiniert zuverlässige Leistung mit umweltfreundlicher Konformität und gewährleistet einen sicheren und nachhaltigen Betrieb. Seine Niederspannungsfähigkeit macht ihn ideal für moderne Verbraucher- und Automobilanwendungen, die zuverlässige Schaltlösungen erfordern.

Gewährleistet RoHS-Konformität für Umweltsicherheit

Halogenfreie Konstruktion für eine sicherere Nutzung

Bietet Eignung für Lastschalteranwendungen

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