Vishay SISS26DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
736-351
Herst. Teile-Nr.:
SISS26DN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SISS26DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Breite

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für Power-Management-Anwendungen entwickelt und zeichnet sich durch robuste Spezifikationen und effizienten Betrieb aus, die auf anspruchsvolle elektronische Umgebungen zugeschnitten sind.

Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet überlegene Leistung und Effizienz

Geeignet für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 60 V

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