Vishay SISS30DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
736-352
Herst. Teile-Nr.:
SISS30DN-T1-BE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SISS30DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00825Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.3mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente synchrone Gleichrichtung und Leistungsumwandlungsanwendungen entwickelt. Er bietet eine ausgezeichnete Leistungsstabilität in anspruchsvollen Umgebungen.

Die TrenchFET Gen IV-Technologie verbessert die elektrische Effizienz

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert Energieverluste während des Betriebs

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