Vishay SISS64DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 736-354
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS64DN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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- 736-354
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS64DN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SISS64DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SISS64DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine außergewöhnliche Leistung mit seiner N-Kanal-Konfiguration. Er wurde in erster Linie für effiziente Schaltanwendungen entwickelt und optimiert das Energiemanagement in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen, wodurch ein zuverlässiger Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet wird.
Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Effizienz
Optimierte Qg-, Qgd- und Qgs-Verhältnisse reduzieren Schaltverluste
Kontinuierlicher Ablassstrom von bis zu 40 A für robuste Leistung
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