Vishay SiSS78LDN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 66.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
210-5020
Herst. Teile-Nr.:
SiSS78LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Serie

SiSS78LDN

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

70 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

66.7 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

57 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.1 V

Höhe

830 μm

Länge

3.4 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

32 nC

Breite

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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