Vishay SiSS78LDN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 66.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 210-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 210-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SiSS78LDN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 830μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SiSS78LDN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 830μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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