Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26.2 A 54.3 W, 8-Pin SISS5710DN-T1-GE3 PowerPAK 1212-8S

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Herst. Teile-Nr.:
SISS5710DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0315Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

54.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.

Sehr geringe Verdienstzahl

ROHS-konform

UIS 100 Prozent getestet

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