Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40.7 A 52 W, 8-Pin SISS5112DN-T1-GE3 1212-8S

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.8.56

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.712CHF.8.57
50 - 95CHF.1.46CHF.7.29
100 - 245CHF.1.292CHF.6.48
250 - 995CHF.1.271CHF.6.35
1000 +CHF.1.239CHF.6.22

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9996
Herst. Teile-Nr.:
SISS5112DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0149Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links