Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A, 8-Pin SI7232DN-T1-GE3 PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7385
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7232DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI7232DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die N-Kanal-PowerPAK-MOSFET von Vishay Semiconductor sind bleifrei (Pb) und halogenfrei, und ihre Anwendungen sind DC, DC, Notebook-Systemversorgung, POL.
TrenchFET Power Mosfet
Drain-Source-Spannung VDS 20
Gate-Quelle-Spannung VGS ±8
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