Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-7909
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS412DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7909
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS412DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.03Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.79mm | |
| Breite | 3.61 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 3.61mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.03Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.79mm | ||
Breite 3.61 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Länge 3.61mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 24mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 15.6W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Load switches
• Notebook PCs
• System power
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