Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 180-7909
Herst. Teile-Nr.:: SIS412DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 180-7909
Herst. Teile-Nr.:: SIS412DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.03Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.8nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	15.6W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.79mm
	Länge	3.61mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.03Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 15.6W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.79mm
	Länge 3.61mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 12 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIS412DN-T1-GE3

Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Schaltgerät, das für die Leistungssteuerung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Niederspannungsschalter zur Steuerung von Strömen in Automatisierungs-, Leistungsumwandlungs- und Antriebsphasen und erfüllt gleichzeitig Standardpraktiken für die Leiterplattenfertigung.

Merkmale und Vorteile:

• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung • 30 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Niederspannungs-Leistungsstufen • 0,03 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste und Erwärmung • 3,8 nC typische Gate-Ladung für effiziente Schaltleistung • 15,6 W Verlustleistung unterstützt SMD-Anwendungen mit hoher Leistung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich

Anwendungen

• Geeignet für Niederspannungsstufen von Motorsteuerungen in der Automatisierung • Ideal für DC/DC-Wandler-Ausgangsschalter in Netzteilen • Wird für das Schalten von Halbleiterlasten in industriellen Schalttafeln verwendet • Kann für Hochstrom-Schaltknoten auf kompakten SMD-Boards verwendet werden

Welche Gate-Toleranz sollte bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?

Das Gerät kann Gate-Spannungen von bis zu 20 V tolerieren, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Bereichs begrenzt werden sollten, um Schäden zu vermeiden.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf den Dauerbetrieb aus?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 15,6 W sind ausreichendes Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen bei starkem Dauerstrom aufrechtzuerhalten.

Welche Verpackungsaspekte gelten für Montage und Anordnung?

Die Komponente wird in einem achtpoligen PowerPAK 1212-8-Oberflächengehäuse geliefert, sodass die Grundfläche und die Lötprofile für eine zuverlässige Montage dieser SMD-Umgebung entsprechen müssen.

Ist diese Komponente für Kfz-zertifizierte Designs geeignet?

Es ist nicht als konform mit dem Automobilstandard spezifiziert, daher sollte es als Alternative behandelt werden, bei der eine Automobilzertifizierung nicht obligatorisch ist.