Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 36.2 A 33.7 W, 8-Pin SIS4608LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212-8

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Herst. Teile-Nr.:
SIS4608LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

33.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM

100 % Rg und UIS getestet

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