Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7358
Herst. Teile-Nr.:
SIS412DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Maximale Verlustleistung Pd

15.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.79mm

Länge

3.61mm

Breite

3.61 mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is an N-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 24mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 15.6W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Load switches

• Notebook PCs

• System power

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