Vishay SISS64DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 736-356
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS64DN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- 736-356
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS64DN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SISS64DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SISS64DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen mit fortschrittlichen Funktionen für geringere Schaltverluste.
Unterstützt synchrone Gleichrichtung und Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
Extrem niedriger Einschaltwiderstand bei spezifizierten Gate-Spannungen
Hoher kontinuierlicher Ablassstrom für anspruchsvolle Lasten
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