Vishay SISS26DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 736-350
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS26DN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.1.818
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.82 |
| 10 - 24 | CHF.1.19 |
| 25 - 99 | CHF.0.66 |
| 100 - 499 | CHF.0.65 |
| 500 + | CHF.0.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 736-350
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS26DN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SISS26DN | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0045Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SISS26DN | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0045Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsmanagementanwendungen entwickelt. Er arbeitet effektiv bei hohen Spannungen mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher ideal für synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandler.
Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 60 V, was einen robusten Betrieb gewährleistet
Optimiert für minimalen Leistungsverlust in verschiedenen Anwendungen
Verwandte Links
- Vishay SISS26DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS52DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS64DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS30DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay Typ N-Kanal, SMD MOSFET 150 V Erweiterung / 33.8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SiSS26LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 81.2 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -136.7 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S