Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9391
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS9351TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.728.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | CHF.0.182 | CHF.719.12 |
| 8000 + | CHF.0.172 | CHF.690.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9391
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS9351TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFHS-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit zwei P-Kanälen von -30 V in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 259 A 156 W PQFN
