Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-9446
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6376TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9446
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6376TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.8nC
	Maximale Verlustleistung Pd	4.9W
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC
	Maximale Verlustleistung Pd 4.9W
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRLHS6376TRPBF

Die Infineon IRLHS-Serie ist ein 30-V-Dual-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN

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