Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 100 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 220-7484
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5300TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.71
Auf Lager
- Zusätzlich 3'860 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.071 | CHF.10.72 |
| 100 - 240 | CHF.1.02 | CHF.10.18 |
| 250 - 490 | CHF.0.97 | CHF.9.75 |
| 500 - 990 | CHF.0.929 | CHF.9.32 |
| 1000 + | CHF.0.869 | CHF.8.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7484
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5300TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.75 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.75 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRFH5300 ist eine leistungsstarke Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 100 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.6 W, 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 12 A 2.8 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.1 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A, 8-Pin PQFN
