Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.1 W, 8-Pin IRFHS8342TRPBF PQFN

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RS Best.-Nr.:
220-7488
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS8342TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.1mm

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

Industrial Qualification, MSL1, RoHS

Breite

1 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRFHS8342 ist eine starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

Kleine Umrisse

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Hohe Leistungsdichte

Kompakter Formfaktor für platzkritische Anwendungen

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