Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.1 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 220-7487
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8342TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7487
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8342TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Industrial Qualification, MSL1, RoHS | |
| Länge | 2.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.1mm | ||
Normen/Zulassungen Industrial Qualification, MSL1, RoHS | ||
Länge 2.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRFHS8342 ist eine starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse
Kleine Umrisse
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Hohe Leistungsdichte
Kompakter Formfaktor für platzkritische Anwendungen
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